Name: XPW4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND
Price: 3.1297 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPW4R10ANB,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPW4R10ANB,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 70A 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPW4R10ANB,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	70A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,1mOhm bei 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4970 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	170W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DSOP Advance-Gehäuse
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN