Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 1.8207 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPN12006NC,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPN12006NC,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 20A 65W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPN12006NC,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	65W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	XPN12006