Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung TO-220-2L
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS4E65H,S1Q

DigiKey-Teilenr.
264-TRS4E65H,S1Q-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TRS4E65H,S1Q
Beschreibung
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung TO-220-2L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.35 V @ 4 A
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
55 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
263pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
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Menge
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