Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 2.9512 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPM1R908QM,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPM1R908QM,LQ
Beschreibung	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26A (Ta), 238A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10500 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN