Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 2.1182 EUR
Availability: InStock

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TK6R9P08QM,RQ
DigiKey-Teilenr.	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK6R9P08QM,RQ
Beschreibung	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 62 A (Tc) 89W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK6R9P08QM,RQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,9mOhm bei 31A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 500µA
Serie U-MOSX-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 62 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63