Name: TK6P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6P65WRQTR-ND
Price: 2.4633 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK6P65W,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK6P65WRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK6P65WRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK6P65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK6P65W,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 5,8 A (Ta) 60W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK6P65W,RQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 180µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 390 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,8 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK6P65
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,05Ohm bei 2,9A, 10V

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (6)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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