Name: TK560P65Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK560P65YRQTR-ND
Price: 2.261 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK560P65Y,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK560P65YRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK560P65YRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK560P65YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK560P65Y,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK560P65Y,RQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	560mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK560P65