TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

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TK4P55D(T6RSS-Q)
DigiKey-Teilenr.	TK4P55D(T6RSS-Q)-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK4P55D(T6RSS-Q)
Beschreibung	MOSFET N-CH 550V 4A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 550 V 4 A (Ta) 80W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK4P55D(T6RSS-Q) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	550 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,88Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	490 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	80W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK4P55

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