Name: TK49N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK49N65WS1F-ND
Price: 15.0059 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK49N65W,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TK49N65WS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK49N65W,S1F
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 49,2A (Ta) 400W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK49N65W,S1F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	49,2A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	55mOhm bei 24,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6500 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK49N65

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