Name: TK40E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40E10N1S1X-ND
Price: 3.2011 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK40E10N1,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK40E10N1S1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK40E10N1,S1X
Beschreibung	MOSFET N CH 100V 90A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 90 A (Tc) 126W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK40E10N1,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,2mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	126W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK40E10

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,69000 €	2,69 €
50	1,34040 €	67,02 €
100	1,21020 €	121,02 €
500	0,98184 €	490,92 €
1.000	0,90847 €	908,47 €
2.000	0,86478 €	1.729,56 €

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