Name: TK3R1P04PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3R1P04PLRQTR-ND
Price: 2.0468 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK3R1P04PL,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK3R1P04PLRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK3R1P04PLRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK3R1P04PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK3R1P04PL,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 58 A (Tc) 87W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK3R1P04PL,RQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,1mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4670 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	87W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK3R1P04