Name: TK35N65W5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK35N65W5S1F-ND
Price: 11.6739 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK35N65W5,S1F
DigiKey-Teilenr.	TK35N65W5S1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK35N65W5,S1F
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 35 A (Ta) 270W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK35N65W5,S1F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	95mOhm bei 17,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 2,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4100 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	270W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK35N65

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30	5,88133 €	176,44 €
120	5,02017 €	602,42 €
510	4,88531 €	2.491,51 €

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