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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK17E65W,S1X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TK17E65WS1X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK17E65W,S1X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK17E65W,S1X Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 200mOhm bei 8,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 900µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1800 pF @ 300 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 23
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,13000 € | 4,13 € |
| 50 | 2,14020 € | 107,01 € |
| 100 | 1,94820 € | 194,82 € |
| 500 | 1,61182 € | 805,91 € |
| 1.000 | 1,54926 € | 1.549,26 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,13000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,91470 € |
Deutschland