TK13A60D(STA4,Q,M) ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 355
Stückpreis : 1,31000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 31.924
Stückpreis : 1,16000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 500
Stückpreis : 3,46000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 337
Stückpreis : 2,25000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 814
Stückpreis : 2,44000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,57000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 146
Stückpreis : 2,42000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1.784
Stückpreis : 1,93000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 455
Stückpreis : 3,38000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 378
Stückpreis : 2,26000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,75574 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 953
Stückpreis : 4,55000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1.270
Stückpreis : 1,56000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 782
Stückpreis : 2,33000 €
Datenblatt
TO-220-3 Full Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK13A60D(STA4,Q,M)

DigiKey-Teilenr.
TK13A60DSTA4QM-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK13A60D(STA4,Q,M)
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.