SIHA22N60EL-E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA12N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHA12N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHA12N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
SIHA12
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
Alle Preise in EUR
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501,40240 €70,12 €
1001,26650 €126,65 €
5001,02814 €514,07 €
1.0000,95157 €951,57 €
2.0000,88720 €1.774,40 €
5.0000,88097 €4.404,85 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,34390 €