Name: TK110P10PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK110P10PLRQTR-ND
Price: 1.7731 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK110P10PL,RQ
DigiKey-Teilenr.	264-TK110P10PLRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK110P10PLRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK110P10PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK110P10PL,RQ
Beschreibung	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 40 A (Tc) 75W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2040 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	75W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK110P10