Name: TK110E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK110E65ZS1X-ND
Price: 6.1285 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK110E65Z,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK110E65ZS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK110E65Z,S1X
Beschreibung	650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Ta) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1,02mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2250 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,15000 €	5,15 €
50	2,72320 €	136,16 €
100	2,48950 €	248,95 €
500	2,08258 €	1.041,29 €

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