Name: TK040N65Z,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK040N65ZS1F-ND
Price: 13.7683 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK040N65Z,S1F
DigiKey-Teilenr.	TK040N65ZS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK040N65Z,S1F
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 57 A (T A) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	57 A (T A)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 28,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 2,85mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6250 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	360W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK040N65

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