Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 2.618 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TJ90S04M3L,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ90S04M3L,LQ
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,3mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7700 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK+
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63