Name: SSM3K376R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K376RLFTR-ND
Price: 0.3689 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K376R,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3K376RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K376RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K376RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K376R,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 4 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K376R,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	56mOhm bei 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+12V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	200 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23F
Gehäuse / Hülle	SOT-23-3 flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM3K376

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