Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 2.9631 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQB22P10TM
DigiKey-Teilenr.	FQB22P10TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQB22P10TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQB22P10TM
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 22 A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQB22P10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 11A, 10V