Name: SSM3J168F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J168FLFTR-ND
Price: 0.5117 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J168F,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3J168FLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J168FLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J168FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J168F,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 400mA (Ta) 1,2W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J168F,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	400mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9Ohm bei 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	82 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SSM3J168

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