Name: 2SK2009TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2009TE85LFTR-ND
Price: 0.7378 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SK2009TE85LF
DigiKey-Teilenr.	2SK2009TE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2SK2009TE85LFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 2SK2009TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	2SK2009TE85LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Oberflächenmontage SC-59-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2Ohm bei 50mA, 2,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 100µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	70 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-59-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	2SK2009