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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
CSD19533KCS | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 296-37482-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | CSD19533KCS |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 100 A (Ta) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | CSD19533KCS Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2670 pF @ 50 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 188W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,5mOhm bei 55A, 10V |
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Ersatzartikel (13)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | 3,05000 € | Ähnlich |
| FDP090N10 | onsemi | 11.754 | FDP090N10-ND | 3,77000 € | Ähnlich |
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| IPP086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND | 0,85176 € | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,14000 € | 2,14 € |
| 50 | 1,04240 € | 52,12 € |
| 100 | 0,93580 € | 93,58 € |
| 500 | 0,74864 € | 374,32 € |
| 1.000 | 0,68846 € | 688,46 € |
| 2.000 | 0,63787 € | 1.275,74 € |
| 5.000 | 0,58314 € | 2.915,70 € |
| 10.000 | 0,55775 € | 5.577,50 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,14000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,54660 € |
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