N-Kanal 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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STW35N65DM2

DigiKey-Teilenr.
497-STW35N65DM2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW35N65DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW35N65DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2540 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCH104N60Fonsemi450FCH104N60F-ND7,11000 ۀhnlich
FCH110N65F-F155onsemi360FCH110N65F-F155-ND7,81000 ۀhnlich
SCT3080ALGC11Rohm Semiconductor413SCT3080ALGC11-ND11,46000 ۀhnlich
TSM60NE069PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation2951801-TSM60NE069PWC0G-ND10,42000 ۀhnlich
TSM60NE084PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation2651801-TSM60NE084PWC0G-ND9,19000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,53000 €5,53 €
103,71100 €37,11 €
1002,67640 €267,64 €
6002,19588 €1.317,53 €
1.2002,06070 €2.472,84 €
2.4002,02574 €4.861,78 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:5,53000 €
Stückpreis mit MwSt.:6,58070 €