
STW35N65DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STW35N65DM2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STW35N65DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 32A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STW35N65DM2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2540 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 16A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH104N60F | onsemi | 450 | FCH104N60F-ND | 7,11000 € | Ähnlich |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 7,81000 € | Ähnlich |
| SCT3080ALGC11 | Rohm Semiconductor | 413 | SCT3080ALGC11-ND | 11,46000 € | Ähnlich |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 10,42000 € | Ähnlich |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 9,19000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 5,53000 € | 5,53 € |
| 10 | 3,71100 € | 37,11 € |
| 100 | 2,67640 € | 267,64 € |
| 600 | 2,19588 € | 1.317,53 € |
| 1.200 | 2,06070 € | 2.472,84 € |
| 2.400 | 2,02574 € | 4.861,78 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,53000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 6,58070 € |

