
STP65N150M9 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STP65N150M9-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP65N150M9 |
Beschreibung | N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP., |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP65N150M9 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 150mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 32 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1239 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,28000 € | 4,28 € |
| 50 | 2,22500 € | 111,25 € |
| 100 | 2,02570 € | 202,57 € |
| 500 | 1,67658 € | 838,29 € |
| 1.000 | 1,56546 € | 1.565,46 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,28000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,09320 € |


