Name: STP18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STP18N60DM2-ND
Price: 3.4272 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP18N60DM2
DigiKey-Teilenr.	497-STP18N60DM2-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP18N60DM2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP18N60DM2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	295mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP18

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,88000 €	2,88 €
50	1,44860 €	72,43 €
100	1,30890 €	130,89 €
500	1,06404 €	532,02 €
1.000	0,98537 €	985,37 €
2.000	0,91923 €	1.838,46 €
5.000	0,91757 €	4.587,85 €

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