N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

STP18N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-STP18N60DM2-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP18N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP18N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
295mOhm bei 6A, 10V
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Dokumente und Medien
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP380N60onsemi2.2991990-FCP380N60-ND3,51000 ۀhnlich
FCPF11N60Tonsemi907FCPF11N60T-ND3,96000 ۀhnlich
IXFP12N65X2IXYS158IXFP12N65X2-ND5,11000 ۀhnlich
IXFP22N60P3IXYS219IXFP22N60P3-ND6,43000 ۀhnlich
IXTP12N65X2IXYS0IXTP12N65X2-ND2,10660 ۀhnlich
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Menge
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,84000 €2,84 €
501,42540 €71,27 €
1001,28800 €128,80 €
5001,11238 €556,19 €
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