N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IRF630

DigiKey-Teilenr.
497-2757-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF630
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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