Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-Isolierung
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S3D10065I

DigiKey-Teilenr.
1655-S3D10065I-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S3D10065I
Beschreibung
DIODE SILICON 650V 10A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-Isolierung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
20 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
621pF bei 0V, 1MHz
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-Isolierung
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
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1001,08750 €108,75 €
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1.0000,80619 €806,19 €
2.0000,74867 €1.497,34 €
5.0000,68646 €3.432,30 €
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