SCT2450KEGC11
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT2450KEGC11
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4026DEC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCT4026DEC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT4026DEC11
Beschreibung
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 750 V 56 A (Tc) 176W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 29A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 15,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2320 pF @ 500 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
176W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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