Name: SCT2450KEHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2450KEHRC11-ND
Price: 12.376 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT2450KEHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-SCT2450KEHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2450KEHRC11
Beschreibung	1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	585mOhm bei 3A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 900µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	463 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	85W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCT2450

Fragen und Antworten zum Produkt

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10	7,75600 €	77,56 €
450	5,89151 €	2.651,18 €

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