N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2280KEGC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCT2280KEGC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCT2280KEGC11
Beschreibung
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 14 A (Tc) 108W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
14 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
364mOhm bei 4A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
667 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
108W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT2280
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