Name: SCT2080KEGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2080KEGC11-ND
Price: 26.3109 EUR
Availability: InStock

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SCT2080KEGC11
DigiKey-Teilenr.	846-SCT2080KEGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2080KEGC11
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 262W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	117mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 4,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	106 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2080 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	262W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCT2080

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10	16,57400 €	165,74 €
450	13,85807 €	6.236,13 €

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