Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS212AGC17

DigiKey-Teilenr.
846-SCS212AGC17-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS212AGC17
Beschreibung
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220ACFP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.55 V @ 12 A
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
240 µA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
438pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220ACFP
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 930
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,73000 €5,73 €
503,05880 €152,94 €
1002,80080 €280,08 €
5002,69128 €1.345,64 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:5,73000 €
Stückpreis mit MwSt.:6,81870 €