Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 5.4264 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS7P200BMTB1
DigiKey-Teilenr.	846-RS7P200BMTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS7P200BMTB1
Beschreibung	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 3,6W (Ta), 217W (Tc) Oberflächenmontage DFN5060-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 105 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7800 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,6W (Ta), 217W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DFN5060-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 50A, 10V