Name: RS1L120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1L120GNTBTR-ND
Price: 1.7969 EUR
Availability: InStock

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RS1L120GNTB
DigiKey-Teilenr.	RS1L120GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1L120GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1L120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1L120GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12A (Ta), 36A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12,7mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1330 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	RS1L