Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.2614 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS1E200GNTB
DigiKey-Teilenr.	RS1E200GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1E200GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E200GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS1E200GNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A (Ta), 57A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1080 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	RS1E