Name: RS1E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E180BNTR-ND
Price: 0.952 EUR
Availability: InStock

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RS1E180BNTB
DigiKey-Teilenr.	846-RS1E180BNTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RS1E180BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RS1E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E180BNTB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 60 A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage CPT3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS1E180BNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,9mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2400 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CPT3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RS1E

Fragen und Antworten zum Produkt

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