Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.2257 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ6E080AJTCR
DigiKey-Teilenr.	RQ6E080AJTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ6E080AJTCR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 8 A (Ta) 950mW (Ta) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ6E080AJTCR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,5mOhm bei 8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1810 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	950mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT6 (SC-95)
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	RQ6E080