8 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	19.620 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13739 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	16mOhm bei 8A, 4,5V	900mV bei 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN2020MD-6	6-UDFN mit freiliegendem Pad
FDME905PT MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET onsemi	4.358 Vorrätig	1 : 0,87000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,20281 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	22mOhm bei 8A, 4,5V	1V bei 250µA	20 nC @ 4.5 V	±8V	2315 pF @ 6 V	-	2,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	MicroFet, 1,6 x 1,6 dünn	6-PowerUFDFN
SI3417DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Vishay Siliconix	4.099 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13212 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	25,2mOhm bei 7,3A, 10V	3V bei 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	1350 pF @ 15 V	-	2W (Ta), 4,2W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSOP	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
AON2406 MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	19.351 Vorrätig	1 : 0,77000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,18479 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	8 A (Ta)	1,5V, 4,5V	12,5mOhm bei 8A, 4,5V	1V bei 250µA	18 nC @ 4.5 V	±8V	1140 pF @ 10 V	-	2,8W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-DFN (2x2)	6-UDFN mit freiliegendem Pad
AO4411 MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	146.503 Vorrätig	1 : 0,86000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,18075 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	32mOhm bei 8A, 10V	2,4V bei 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDS6375 MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC onsemi	5.563 Vorrätig	1 : 0,99000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,25584 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	24mOhm bei 8A, 4,5V	1,5V bei 250µA	36 nC @ 4.5 V	±8V	2694 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RQ6E080AJTCR MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 Rohm Semiconductor	713 Vorrätig	1 : 1,03000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,25928 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	16,5mOhm bei 8A, 4,5V	1,5V bei 2mA	16.2 nC @ 4.5 V	±12V	1810 pF @ 15 V	-	950mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT6 (SC-95)	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TJ8S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 8A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1.897 Vorrätig	1 : 1,16000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,30468 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8 A (Ta)	6V, 10V	104mOhm bei 4A, 10V	3V bei 1mA	19 nC @ 10 V	+10V, -20V	890 pF @ 10 V	-	27W (Tc)	175°C	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	DPAK+	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
STS8N6LF6AG MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO STMicroelectronics	1.677 Vorrätig	1 : 1,22000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,32492 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	STripFET™ F6	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	24mOhm bei 4A, 10V	2,5V bei 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	3,2W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RQ7G080ATTCR PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER Rohm Semiconductor	1.379 Vorrätig	1 : 1,51000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,40891 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	18,2mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 1mA	37 nC @ 10 V	±20V	2060 pF @ 20 V	-	1,1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT8	8-SMD, flache Anschlüsse
TK8S06K3L(T6L1,NQ) MOSFET N-CH 60V 8A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3.003 Vorrätig	1 : 1,55000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,42883 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSIV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8 A (Ta)	6V, 10V	54mOhm bei 4A, 10V	3V bei 1mA	10 nC @ 10 V	±20V	400 pF @ 10 V	-	25W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DPAK+	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) MOSFET P-CH 60V 8A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	328 Vorrätig	1 : 1,55000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,42883 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVI	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8 A (Ta)	6V, 10V	104mOhm bei 4A, 10V	3V bei 1mA	19 nC @ 10 V	+10V, -20V	890 pF @ 10 V	-	27W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DPAK+	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
RD3H080SPTL1 MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Rohm Semiconductor	2.447 Vorrätig	1 : 1,56000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,40718 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	45 V	8 A (Ta)	4V, 10V	91mOhm bei 8A, 10V	3V bei 1mA	9 nC @ 5 V	±20V	1000 pF @ 10 V	-	15W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
RQ3E080BNTB MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Rohm Semiconductor	25.428 Vorrätig	1 : 0,55000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12672 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	15,2mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 1mA	14.5 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
RQ3E080GNTB MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Rohm Semiconductor	1.774 Vorrätig	1 : 0,56000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12793 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	16,7mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 1mA	5.8 nC @ 10 V	±20V	295 pF @ 15 V	-	2W (Ta), 15W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
DMN4800LSSL-13 MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Diodes Incorporated	4.675 Vorrätig	1 : 0,64000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,14834 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	14mOhm bei 8A, 10V	1,6V bei 250µA	8.7 nC @ 5 V	±20V	798 pF @ 10 V	-	1,46W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SO	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
DMN4020LFDE-7 MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN Diodes Incorporated	3.711 Vorrätig 12.000 Fabrik	1 : 0,67000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15233 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	20mOhm bei 8A, 10V	2,4V bei 250µA	19.1 nC @ 10 V	±20V	1060 pF @ 20 V	-	660mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-DFN2020-6 (Typ E)	6-PowerUDFN
AON2408 MOSFET N CH 20V 8A DFN 2X2B Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2.634 Vorrätig	1 : 0,80000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,19601 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	14,5mOhm bei 8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	7 nC @ 4.5 V	±12V	782 pF @ 10 V	-	2,8W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-DFN (2x2)	6-UDFN mit freiliegendem Pad
RD3L080SNFRATL MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Rohm Semiconductor	5.774 Vorrätig	1 : 1,76000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,50155 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8 A (Ta)	4V, 10V	80mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 1mA	9.4 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 10 V	-	15W (Tc)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TK8P60W5,RVQ MOSFET N-CH 600V 8A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	2.314 Vorrätig	1 : 2,34000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,69418 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	DTMOSIV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	8 A (Ta)	10V	560mOhm bei 4A, 10V	4,5V bei 400µA	22 nC @ 10 V	±30V	590 pF @ 300 V	-	80W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIL08N02-TP N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	2.446 Vorrätig	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10718 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	17mOhm bei 5A, 4,5V	1V bei 250µA	9.2 nC @ 4.5 V	±10V	900 pF @ 10 V	-	1,5W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6L	SOT-23-6
PJL9408_R2_00001 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	2.378 Vorrätig	1 : 0,53000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,12378 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	18mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±20V	392 pF @ 25 V	-	1,7W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RF4E080GNTR MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 Rohm Semiconductor	2.650 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14808 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	17,6mOhm bei 8A, 10V	2,5V bei 250µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	295 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	HUML2020L8	8-PowerUDFN
PMPB13XNEZ PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220 Nexperia USA Inc.	1.691 Vorrätig	1 : 0,67000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13739 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	16mOhm bei 8A, 4,5V	900mV bei 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN2020MD-6	6-UDFN mit freiliegendem Pad
RF4E080BNTR MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 Rohm Semiconductor	1.719 Vorrätig	1 : 0,97000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,24209 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	8 A (Ta)	4,5V, 10V	17,6mOhm bei 8A, 10V	2V bei 250µA	14.5 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	HUML2020L8	8-PowerUDFN

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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