Name: RQ3P120BLFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P120BLFRATCBTR-ND
Price: 1.666 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3P120BLFRATCB
DigiKey-Teilenr.	846-RQ3P120BLFRATCBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RQ3P120BLFRATCBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RQ3P120BLFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3P120BLFRATCB
Beschreibung	NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	62mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 843µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	360 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN