Name: RF9P120BKFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BKFRATCRTR-ND
Price: 1.6303 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RF9P120BKFRATCR
DigiKey-Teilenr.	846-RF9P120BKFRATCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RF9P120BKFRATCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RF9P120BKFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RF9P120BKFRATCR
Beschreibung	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Tc) 23W (Tc) Oberflächenmontage DFN2020Y7LSAA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 671µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	360 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	23W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN2020Y7LSAA
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad