Name: RQ3E100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100GNTBTR-ND
Price: 0.714 EUR
Availability: InStock

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RQ3E100GNTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3E100GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3E100GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3E100GNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,7mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	420 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3E100

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