RQ3E100

Diskrete Halbleiterprodukte | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

	Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
	RQ3E100BNTB MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Rohm Semiconductor	75.454 Vorrätig Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge	1 : 0,61000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11938 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	10 A (Ta)	4,5V, 10V	10,4mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
	RQ3E100ATTB MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT Rohm Semiconductor	7.182 Vorrätig	1 : 1,25000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,32428 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	10A (Ta), 31A (Tc)	4,5V, 10V	11,4mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	42 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
	RQ3E100GNTB MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Rohm Semiconductor	2.897 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14641 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	10 A (Ta)	4,5V, 10V	11,7mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	7.9 nC @ 10 V	±20V	420 pF @ 15 V	-	2W (Ta), 15W (Tc)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
	RQ3E100BNTB1 NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10 Rohm Semiconductor	8.642 Vorrätig	1 : 1,45000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,38451 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	10A (Ta), 21A (Tc)	4,5V, 10V	10,4mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 15 V	-	2W (Ta), 15W (Tc)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN
	RQ3E100MNTB1 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 Rohm Semiconductor	5.261 Vorrätig	1 : 0,90000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,37149 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3.000 : 0,42359 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	10 A (Ta)	4,5V, 10V	12,3mOhm bei 10A, 10V	2,5V bei 1mA	9.9 nC @ 10 V	±20V	520 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-HSMT (3,2x3)	8-PowerVDFN

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