Name: RQ1C065UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C065UNTR-ND
Price: 0.9639 EUR
Availability: InStock

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RQ1C065UNTR
DigiKey-Teilenr.	RQ1C065UNTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ1C065UNCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ1C065UNDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ1C065UNTR
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 6,5 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ1C065UNTR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 6,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	870 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	RQ1C065

Fragen und Antworten zum Produkt

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