6,5 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
DMG6968U-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Diodes Incorporated	356.757 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09536 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	25mOhm bei 6,5A, 4,5V	900mV bei 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±12V	151 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AOSS32136C MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	28.813 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08883 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	20mOhm bei 6,5A, 4,5V	1,25V bei 250µA	14 nC @ 4.5 V	±12V	660 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
AO3416 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	185.127 Vorrätig	1 : 0,43000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09391 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	22mOhm bei 6,5A, 4,5V	1V bei 250µA	16 nC @ 4.5 V	±8V	1160 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
IRLMS2002TRPBF MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 Infineon Technologies	9.612 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15215 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nur verfügbar bis	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	30mOhm bei 6,5A, 4,5V	1,2V bei 250µA	22 nC @ 5 V	±12V	1310 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	Micro6™(SOT23-6)	SOT-23-6
DMP2038USS-13 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO Diodes Incorporated	8.947 Vorrätig 25.000 Fabrik	1 : 0,51000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,11654 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	38mOhm bei 5A, 4,5V	1,1V bei 250µA	14.4 nC @ 4.5 V	±8V	1496 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SO	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI8457DB-T1-E1 MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	4.378 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15843 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	19mOhm bei 3A, 4,5V	900mV bei 250µA	93 nC @ 8 V	±8V	2900 pF @ 6 V	-	1,1W (Ta), 2,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	4-MICRO FOOT® (1,6 x 1,6)	4-UFBGA
DMN2053U-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	5.490 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06296 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 10V	29mOhm bei 6A, 10V	1,2V bei 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±12V	414 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG6968UQ-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Diodes Incorporated	1.591 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08482 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	25mOhm bei 6,5A, 4,5V	900mV bei 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±12V	151 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMT6030LFCL-7 MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616 Diodes Incorporated	5.182 Vorrätig 6.000 Fabrik	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12190 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	25mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 250µA	9.1 nC @ 10 V	±20V	639 pF @ 30 V	-	780mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	Software Configurable Input/Output	6-PowerUFDFN
RQ5E065AJTCL MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3 Rohm Semiconductor	5.659 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,24351 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	18,1mOhm bei 6,5A, 4,5V	1,5V bei 2mA	12.2 nC @ 4.5 V	±12V	1370 pF @ 15 V	-	760mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT3	SC-96
RF6E065BNTCR MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6 Rohm Semiconductor	8.953 Vorrätig	1 : 0,64000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,21653 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	15,3mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 1mA	16.3 nC @ 10 V	±20V	680 pF @ 15 V	-	910mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TUMT6	6-SMD, flache Anschlüsse
DMP2066LSS-13 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP Diodes Incorporated	2.191 Vorrätig 25.000 Fabrik	1 : 0,79000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,18852 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	2,5V, 4,5V	40mOhm bei 5,8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	-	±12V	820 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SO	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDS3590 MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC onsemi	3.163 Vorrätig	1 : 1,18000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,32931 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	6,5 A (Ta)	6V, 10V	39mOhm bei 6,5A, 10V	4V bei 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1180 pF @ 40 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RSH065N06TB1 MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP Rohm Semiconductor	2.520 Vorrätig	1 : 1,23000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,44192 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6,5 A (Ta)	4V, 10V	37mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 1mA	16 nC @ 5 V	20V	900 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RSS065N06HZGTB NCH 60V 6.5A POWER MOSFET. RSS06 Rohm Semiconductor	6.455 Vorrätig	1 : 1,81000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,50581 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	6,5 A (Ta)	4V, 10V	37mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 1mA	16 nC @ 5 V	±20V	900 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
DMN2053U-13 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1 Diodes Incorporated	9.773 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,05684 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 10V	29mOhm bei 6A, 10V	1,2V bei 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±12V	414 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RQ1C065UNTR MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 Rohm Semiconductor	2.805 Vorrätig	1 : 0,72000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,17139 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,5V, 4,5V	22mOhm bei 6,5A, 4,5V	1V bei 1mA	11 nC @ 4.5 V	±10V	870 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TSMT8	8-SMD, flache Anschlüsse
RW4E065GNTCL1 NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER Rohm Semiconductor	2.437 Vorrätig	1 : 0,96000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,30138 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	22,5mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 1mA	4.3 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 15 V	-	1,5W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN1616-7T	6-PowerUFDFN
PJA3416AE_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	9.730 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06121 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	22mOhm bei 6,5A, 4,5V	1V bei 250µA	8.6 nC @ 4.5 V	±8V	836 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2025UFDF-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Diodes Incorporated	3.095 Vorrätig 15.000 Fabrik	1 : 0,41000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10144 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	25mOhm bei 4A, 4,5V	1V bei 250µA	12.3 nC @ 10 V	±10V	486 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-DFN2020-6 (Typ F)	6-UDFN mit freiliegendem Pad
GSF3416 MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO Good-Ark Semiconductor	5.630 Vorrätig	1 : 0,11000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04291 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	27mOhm bei 6,5A, 4,5V	1V bei 250µA	8 nC @ 4.5 V	±12V	660 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMH1307-TL-H MOSFET P-CH 20V 6.5A 8EMH onsemi	0 Vorrätig 3.000 Marktplatz	1.297 : 0,19718 € Lose im Beutel	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Lose im Beutel	Obsolet	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	26mOhm bei 3A, 4,5V	-	13 nC @ 4.5 V	±10V	1100 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-EMH	8-SMD, flache Anschlüsse
FDS6630A MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC Fairchild Semiconductor	23.929 Marktplatz	789 : 0,32578 € Lose im Beutel	PowerTrench®	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	38mOhm bei 6,5A, 10V	3V bei 250µA	7 nC @ 5 V	±20V	460 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
AO4459 SOP-8 MOSFETS ROHS UMW	2.371 Vorrätig	1 : 0,41000 € Gurtabschnitt (CT)	UMW	Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	42mOhm bei 6,5A, 10V	2,5V bei 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	520 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
PJQ2409_R1_00001 DFN2020B-6L, MOSFET Panjit International Inc.	2.910 Vorrätig	1 : 0,49000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11019 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	6,5 A (Ta)	4,5V, 10V	30mOhm bei 4A, 10V	2,5V bei 250µA	7.8 nC @ 4.5 V	±20V	870 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN2020B-6	6-WDFN mit freiliegendem Pad

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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