Name: RH7G04CBJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND
Price: 2.1539 EUR
Availability: InStock

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RH7G04CBJFRATCB
DigiKey-Teilenr.	846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RH7G04CBJFRATCBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RH7G04CBJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RH7G04CBJFRATCB
Beschreibung	PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 40 A (Tc) 62W (Tc) Oberflächenmontage DFN3333T8LSAB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Herst. Rohm Semiconductor	Vgs (Max.) +5V, -20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1850 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 62W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten DFN3333T8LSAB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 17,7mOhm bei 20A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1,3mA