Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 3.9389 EUR
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
DigiKey-Teilenr.	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3S100AAFRATL
Beschreibung	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 190 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52 nC @ 10 V
Herst. Rohm Semiconductor	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2000 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 190 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 182mOhm bei 5A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA	Basis-Produktnummer RD3S100