Name: RD3H200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H200SNFRATLTR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RD3H200SNFRATL
DigiKey-Teilenr.	RD3H200SNFRATLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RD3H200SNFRATLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RD3H200SNFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3H200SNFRATL
Beschreibung	MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 45 V 20 A (Ta) 20W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RD3H200SNFRATL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	45 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	950 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RD3H200