Name: RA1C030LDT5CL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RA1C030LDT5CLTR-ND
Price: 0.6426 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RA1C030LDT5CL
DigiKey-Teilenr.	846-RA1C030LDT5CLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RA1C030LDT5CLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RA1C030LDT5CLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RA1C030LDT5CL
Beschreibung	NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 3 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage DSN1006-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RA1C030LDT5CL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+7V, -0,2V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	150 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DSN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN

Fragen und Antworten zum Produkt

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